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CMOS射频集成电路设计

ThomasHLee 电子工业出版社
出版时间:

2006-2  

出版社:

电子工业出版社  

作者:

ThomasHLee  

页数:

418  

字数:

698000  

Tag标签:

无  

内容概要

本书全面深入地介绍了如可设计千兆赫兹CMOS射频集成电路。本书首先回顾了集成电路元件的特性、MOS器件物理和晶体管模型,RLC并联、串联和其他形式的振荡网络,以及分布式系统的特点及其与集总参数电路的区别,然后详细讨论了现代高频宽带放大器的设计。接下来介绍了关键的射频功能快,包括低噪声放大器、基准电压源、混频器、射频功率放大器、振荡器和频率综合器。最后探讨了发关接收器的总体结构并展望了射频电路未来发展的前景。书中包括多非常有用的电路图其他插图,除第1章和最后一章外,每章的后面都附有许多启发性的习题,是高年级本科生和研究生学习有关射频电子学方面课的理想教科书,对于从事射频集成电路设计或相关领域的工程技术人员来说也是一本非常有益的参考书。

作者简介

Thomas H.Lee于1990年获得美国麻省理工学院电机工程系博士学位。他于1990年到Analog Devices公司工作,主要设计高速时钟恢复器件。1992年进入Rambus公司,开发了用于500MB/sCMOS动态随机存储器的高速模拟电路。他还参与了Strong Alpha 和 AMD的 K6/K7/K8微处理器锁相环电路

书籍目录

第一章 无线电发展历史的间断回顾 1.1 引言 1.2 麦克斯韦尔和赫兹 1.3 真空管发明前的电子学 1.4 真空管的诞生 1.5 Armstrong和再生放大器/检波器/振荡器 1.6 其他无线电路 1.7 Armstrong和超再生电路 1.8 Oleg Losev及第一个固态电路放大顺 1.9 结束语 1.10 附录:真空管基础第二章 无源集成电路元件的特性 2.1 引言 2.2 电阻 2.3 电容 2.4 电感 2.5 小结 2.6 附录:是容方程总结第三章 MOS器件物理回顾 3.1 引言 3.2 简短历史 3.3 场效应管:一个小故事 3.4 MOSFET物理:一个小故事 ……第四章 无源RLC网络第五章 分布参数系统第六章 史密斯圆图和S参数第七章 频带宽度估算方法第八章 高频放大器设计 第九章 基准电压和偏置电路第十章 噪声第十一章 低噪声放大器设计第十二章 混频器第十三章 RF功率放大器第十四章 反馈系统第十五章 锁相环第十六章 振荡器与频率合成器第十七章 相位噪声第十八章 系统结构第十九章 射频电路历史回顾


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很有用的一本书,不论做射频还是射频IC都非常有用。值得读5遍以上。


这本书是经典阿,作者是这个领域的牛人


书不错 就是可惜我买的时候没有第二版的了,还是买新版的吧


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