铁电存储器
2004-9-1
清华大学出版社
朱劲松,吕笑梅,朱�,J.F.Scott
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252000
朱劲松,吕笑梅,朱�
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铁电存储器是近10余年研究出的一种重量轻、存取速度快、寿命长、功耗低的新型存储器，有极好的应用背景。本书是引领域的第一本专著，内容包括铁电基础知识、铁电存储器件的设计、工艺、检测、存储物理有关的问题（击穿、漏电流、开关机制、疲劳）以及铁电存储器件的应用。全书引用550篇文献，概括了2000年之前人类在该领域所做的主要工作，其中包括著者本人的工作。本书内容新颖、实用、既有理论又有应用（侧重前者）。可供集成电路工程师、器件物理学家参考，也可作为应用物理和工程类专业高年级本科生的教学参考书。
Prof.Scott就学于美国哈佛大学和俄赢亥俄州大学，毕业后在Bell电话实验室量子电子部工作了六年。他曾是美国Colorado大学教授（1971-1992），随后在澳大利亚墨尔本和悉尼工作七年，任新南威尔士大学理学院院长。1999年起他成为英国剑桥大学铁性材料研究的教授。
Scot
1.导言 1.1 铁电体的基本性质:体材料 1.2 铁电薄膜:退极化场和有限尺寸效应2.RAM的基本性质 2.1 系统设计 2.2 实际器件 2.3 测试3.DRAM和NV-RAM的电击穿 3.1 热击穿机制 3.2 Von Hippel方程 3.3 枝晶状击穿 3.4 击穿电压不对称和漏电流不对称4.漏电流 4.1 Schottky发射 4.2 铁电薄膜Schottky理论的修正 4.3 电荷注人 4.4 空间电荷限制电流BCLC 4.5 负电阻率5.电容-电压关系C(V) 5.1 支持薄耗尽层的方面 5.2 支持完全耗尽薄的论据 5.3 Zuleeg-Dey模型 5.4 混合模型 5.5 基于XPS的能带结构以匹配关系 5.6 离子空间电荷限制电流……6.开关动力学7.电荷注入和疲劳8.频率依赖9.制备过程中的相序10. CBT族Aurivillius相层状结构11.淀积和工艺12.非破坏性出器件13.基于超导体的铁电器件：相控阵雷达和14.薄膜黏结15.电子发射和平面显示器16.光学器件17.纳米相器件18.缺点和不足习题参考文献索引
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